casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MTA4ATF25664AZ-2G6B1
Número da peça de fabricante | MTA4ATF25664AZ-2G6B1 |
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Número da peça futura | FT-MTA4ATF25664AZ-2G6B1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MTA4ATF25664AZ-2G6B1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Tamanho da memória | 16Gb (256M x 64) |
Freqüência do relógio | 1333MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.2V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTA4ATF25664AZ-2G6B1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MTA4ATF25664AZ-2G6B1-FT |
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8HR-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D6DABE-DC
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel