casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT61M256M32JE-10 N:A TR
Número da peça de fabricante | MT61M256M32JE-10 N:A TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-MT61M256M32JE-10 N:A TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT61M256M32JE-10 N:A TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | RAM |
Tecnologia | SGRAM - GDDR6 |
Tamanho da memória | 8Gb (256M x 32) |
Freqüência do relógio | 1.25GHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.21V ~ 1.29V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT61M256M32JE-10 N:A TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT61M256M32JE-10 N:A TR-FT |
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B
Micron Technology Inc.
XCS20-3TQ144I
Xilinx Inc.
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
LAE5UM-45F-7BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
XC4010E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-10FFG668C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EPF10K50VRI240-3
Intel