casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT61M256M32JE-10 AAT:A
Número da peça de fabricante | MT61M256M32JE-10 AAT:A |
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Número da peça futura | FT-MT61M256M32JE-10 AAT:A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT61M256M32JE-10 AAT:A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | RAM |
Tecnologia | SGRAM - GDDR6 |
Tamanho da memória | 8Gb (256M x 32) |
Freqüência do relógio | 1.25GHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.21V ~ 1.29V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 180-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 180-FBGA (12x14) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT61M256M32JE-10 AAT:A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT61M256M32JE-10 AAT:A-FT |
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel