casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR
Número da peça de fabricante | MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR |
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Número da peça futura | FT-MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 32Gb (512M x 64) |
Freqüência do relógio | 1866MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR-FT |
MT53D4DABD-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DACB-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DACR-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DACR-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DADT-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DADT-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DAHR-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DAKA-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DAKA-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DANW-DC
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel