casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E
Número da peça de fabricante | MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E |
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Número da peça futura | FT-MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 32Gb (512M x 64) |
Freqüência do relógio | 2133MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E-FT |
MT53D384M64D4TZ-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4TZ-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ABP-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ARQ-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ARQ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ASQ-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ASQ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DABD-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DACB-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DACR-DC
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel