casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR
Número da peça de fabricante | MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR |
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Número da peça futura | FT-MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 16Gb (512M x 32) |
Freqüência do relógio | 1600MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR-FT |
MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4FL-046 XT:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4FL-046 XT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4NY-046 XT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4NY-046 XT:D
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4NZ-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4NZ-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation