casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR
Número da peça de fabricante | MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR |
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Número da peça futura | FT-MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 16Gb (256M x 64) |
Freqüência do relógio | 2133MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR-FT |
MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M64D8NK-053 WT:D
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel