casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR
Número da peça de fabricante | MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR |
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Número da peça futura | FT-MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 16Gb (256M x 64) |
Freqüência do relógio | 2133MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR-FT |
GD25LE64CLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ128DVIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16C8IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16LIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CUIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CVIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4RF9IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4RF9IGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4RF9IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
IS43DR16128C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel