casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E
Número da peça de fabricante | MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E |
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Número da peça futura | FT-MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 64Gb (1G x 64) |
Freqüência do relógio | 2133MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E-FT |
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel