casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR
Número da peça de fabricante | MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR |
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Número da peça futura | FT-MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 64Gb (1G x 64) |
Freqüência do relógio | 2133MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR-FT |
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-062 WT:C
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel