casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B

| Número da peça de fabricante | MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de memória | Volatile |
| Formato de memória | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Tamanho da memória | 32Gb (512M x 64) |
| Freqüência do relógio | 1866MHz |
| Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
| Tempo de acesso | - |
| Interface de memória | - |
| Tensão - fonte | 1.1V |
| Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montagem | - |
| Pacote / caso | - |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B-FT |

MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.

MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B
Micron Technology Inc.

MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.

MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.

MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.

MT53B384M64D4NK-062 WT:A TR
Micron Technology Inc.

MT53B384M64D4NK-062 WT:B
Micron Technology Inc.

MT53B384M64D4NK-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.

MT53B384M64D4NK-062 XT:B
Micron Technology Inc.

MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR
Micron Technology Inc.

XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.

A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation

EPF8452ATC100-4
Intel

10M16SCE144C8G
Intel

LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation

5CEBA5U19C7N
Intel

5AGXFA5H4F35I3
Intel

EP2AGX260FF35I3N
Intel

EP4SGX70HF35C3
Intel