casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53B512M64D4NH-062 WT:C
Número da peça de fabricante | MT53B512M64D4NH-062 WT:C |
---|---|
Número da peça futura | FT-MT53B512M64D4NH-062 WT:C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53B512M64D4NH-062 WT:C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 32Gb (512M x 64) |
Freqüência do relógio | 1600MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4NH-062 WT:C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53B512M64D4NH-062 WT:C-FT |
MT53D1024M64D8PM-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8SQ-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
NV25M01DTUTG
ON Semiconductor
AT88SC0104CA-MJ
Microchip Technology
AT88SC0104CA-MJTG
Microchip Technology
AT88SC25616C-MJ
Microchip Technology
CAT24C32WI-GT3HP
ON Semiconductor
DS28E10P+T
Maxim Integrated
EDB4064B4PB-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel