casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53B512M32D2NP-062 WT:D
Número da peça de fabricante | MT53B512M32D2NP-062 WT:D |
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Número da peça futura | FT-MT53B512M32D2NP-062 WT:D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53B512M32D2NP-062 WT:D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 16Gb (512M x 32) |
Freqüência do relógio | 1600MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M32D2NP-062 WT:D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53B512M32D2NP-062 WT:D-FT |
MT53B2DBDS-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DBNP-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DBNP-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DDNP-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DDNP-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B2G32D8QD-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B2G32D8QD-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel