casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53B384M64D4NH-062 WT:B
Número da peça de fabricante | MT53B384M64D4NH-062 WT:B |
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Número da peça futura | FT-MT53B384M64D4NH-062 WT:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53B384M64D4NH-062 WT:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 24Gb (384M x 64) |
Freqüência do relógio | 1600MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M64D4NH-062 WT:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53B384M64D4NH-062 WT:B-FT |
MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1G32D4NQ-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B1G32D4NQ-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1G64D8NW-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B1G64D8NW-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M16D1Z00MWC1
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1DS-062 XT:C
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel