casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR
Número da peça de fabricante | MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 24Gb (384M x 64) |
Freqüência do relógio | 1600MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR-FT |
MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1G32D4NQ-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B1G32D4NQ-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1G64D8NW-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B1G64D8NW-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M16D1Z00MWC1
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1DS-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel