casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR
Número da peça de fabricante | MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR |
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Número da peça futura | FT-MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 24Gb (384M x 64) |
Freqüência do relógio | 1600MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR-FT |
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B1DADS-DC
Micron Technology Inc.
MT53B1DADS-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B1DATG-DC
Micron Technology Inc.
MT53B1DBDS-DC
Micron Technology Inc.
MT53B1DBDS-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B1DBNP-DC
Micron Technology Inc.
MT53B1DBNP-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel