casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53B128M32D1DS-062 AUT:A
Número da peça de fabricante | MT53B128M32D1DS-062 AUT:A |
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Número da peça futura | FT-MT53B128M32D1DS-062 AUT:A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 4Gb (128M x 32) |
Freqüência do relógio | 1600MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 200-WFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53B128M32D1DS-062 AUT:A-FT |
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A4G4NRE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G4HX-083E:A
Micron Technology Inc.
MT40A512M8HX-083E:A
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation