casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR
Número da peça de fabricante | MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR |
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Número da peça futura | FT-MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamanho da memória | 16Gb (512M x 32) |
Freqüência do relógio | 933MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.2V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 178-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 178-FBGA (11.5x11) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR-FT |
MT25QU256ABA1EW9-0SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU512ABB1EW9-0SIT
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF440F TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E IT:H TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel