casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B
Número da peça de fabricante | MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B |
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Número da peça futura | FT-MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamanho da memória | 16Gb (256M x 64) |
Freqüência do relógio | 800MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.2V |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B-FT |
MT49H16M36BM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-18:B TR
Micron Technology Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation