casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT52L256M64D2LZ-107 XT:B
Número da peça de fabricante | MT52L256M64D2LZ-107 XT:B |
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Número da peça futura | FT-MT52L256M64D2LZ-107 XT:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamanho da memória | 16Gb (256M x 64) |
Freqüência do relógio | 933MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.2V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT52L256M64D2LZ-107 XT:B-FT |
MT49H16M36BM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-25 IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-25 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-25:A
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-25:A TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel