casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR
Número da peça de fabricante | MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR |
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Número da peça futura | FT-MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamanho da memória | 8Gb (256M x 32) |
Freqüência do relógio | 933MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.2V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR-FT |
MT49H16M18CFM-5 IT
Micron Technology Inc.
MT49H16M18CTR-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25 IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25 TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-33 TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18 IT:B
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel