casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT48H16M32L2B5-8
Número da peça de fabricante | MT48H16M32L2B5-8 |
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Número da peça futura | FT-MT48H16M32L2B5-8 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT48H16M32L2B5-8 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPSDR |
Tamanho da memória | 512Mb (16M x 32) |
Freqüência do relógio | 125MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 7.5ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 90-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 90-VFBGA (8x13) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT48H16M32L2B5-8 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT48H16M32L2B5-8-FT |
MT47H64M8CF-25E:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8JN-25E IT:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M8JN-25E:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-25E AAT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-25E AIT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47R128M8CF-25:H
Micron Technology Inc.
MT47R128M8CF-3:H
Micron Technology Inc.
MT47R256M4CF-25E:H
Micron Technology Inc.