casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT47H64M8CB-25:B
Número da peça de fabricante | MT47H64M8CB-25:B |
---|---|
Número da peça futura | FT-MT47H64M8CB-25:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT47H64M8CB-25:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Tamanho da memória | 512Mb (64M x 8) |
Freqüência do relógio | 400MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 400ps |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 60-FBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 60-FBGA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8CB-25:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT47H64M8CB-25:B-FT |
MT46V32M16FN-5B:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-5B:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6 IT:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-6:F TR
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel