casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT47H64M8B6-25E L:D TR
Número da peça de fabricante | MT47H64M8B6-25E L:D TR |
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Número da peça futura | FT-MT47H64M8B6-25E L:D TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT47H64M8B6-25E L:D TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Tamanho da memória | 512Mb (64M x 8) |
Freqüência do relógio | 400MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 400ps |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 60-FBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 60-FBGA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8B6-25E L:D TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT47H64M8B6-25E L:D TR-FT |
MT46V32M16BN-75 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 L:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 L:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-5B:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-5B:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-5B:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-5B:F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel