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Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-25E:M
- Número da peça MFG
- MT47H512M4THN-25E:M
- Quantidade disponível
- 25030 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
- Temos um grande desconto, entre em contato conosco
- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Micron Technology Inc.
- Descrição breve
- - IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Memória
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- MT47H512M4THN-25E:M.pdf
MT47H512M4THN-25E:M Especificações
| Número da peça de fabricante | MT47H512M4THN-25E:M |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-MT47H512M4THN-25E:M |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| MT47H512M4THN-25E:M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de memória | Volatile |
| Formato de memória | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Tamanho da memória | 2Gb (512M x 4) |
| Freqüência do relógio | 400MHz |
| Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
| Tempo de acesso | 400ps |
| Interface de memória | Parallel |
| Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura de operação | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montagem | - |
| Pacote / caso | - |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT47H512M4THN-25E:M Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | MT47H512M4THN-25E:M-FT |
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