casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT47H512M4EB-187E:C
Número da peça de fabricante | MT47H512M4EB-187E:C |
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Número da peça futura | FT-MT47H512M4EB-187E:C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT47H512M4EB-187E:C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Tamanho da memória | 2Gb (512M x 4) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 350ps |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 60-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 60-FBGA (9x11.5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H512M4EB-187E:C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT47H512M4EB-187E:C-FT |
MT46H32M32LFCG-6:A
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFCG-6:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFJG-5 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFJG-6 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFJG-6 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFJG-6:A
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFJG-6:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 AAT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2CG-5 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2CG-5 IT:A TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel