casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT47H32M16CC-5E:B
Número da peça de fabricante | MT47H32M16CC-5E:B |
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Número da peça futura | FT-MT47H32M16CC-5E:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT47H32M16CC-5E:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Tamanho da memória | 512Mb (32M x 16) |
Freqüência do relógio | 200MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 600ps |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 84-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 84-FBGA (12x12.5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H32M16CC-5E:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT47H32M16CC-5E:B-FT |
MT29F8G08ABABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-ITX:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08BAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08FACWP:C TR
Micron Technology Inc.
NAND01GW3B2CN6E
Micron Technology Inc.
NAND02GR3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND02GW3B2DN6E
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel