casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT47H32M16BN-25E:D TR
Número da peça de fabricante | MT47H32M16BN-25E:D TR |
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Número da peça futura | FT-MT47H32M16BN-25E:D TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT47H32M16BN-25E:D TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Tamanho da memória | 512Mb (32M x 16) |
Freqüência do relógio | 400MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 400ps |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 84-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 84-FBGA (10x12.5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H32M16BN-25E:D TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT47H32M16BN-25E:D TR-FT |
MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBAAAWP-Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBAAAWP:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBAAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBAABWP-12Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBAABWP-12Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWP-12:B
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel