casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT47H256M4SH-25E:M
Número da peça de fabricante | MT47H256M4SH-25E:M |
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Número da peça futura | FT-MT47H256M4SH-25E:M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT47H256M4SH-25E:M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Tamanho da memória | 1Gb (256M x 4) |
Freqüência do relógio | 400MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 400ps |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 60-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 60-FBGA (8x10) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M4SH-25E:M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT47H256M4SH-25E:M-FT |
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V TR
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T TR
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q TR
Micron Technology Inc.
MT35XU01GBBA1G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8SA-062E IT:E
Micron Technology Inc.
MT40A1G8SA-062E IT:E TR
Micron Technology Inc.