casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT45W4MW16BFB-708 WT TR
Número da peça de fabricante | MT45W4MW16BFB-708 WT TR |
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Número da peça futura | FT-MT45W4MW16BFB-708 WT TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT45W4MW16BFB-708 WT TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | PSRAM |
Tecnologia | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamanho da memória | 64Mb (4M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 70ns |
Tempo de acesso | 70ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 54-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 54-VFBGA (6x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W4MW16BFB-708 WT TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT45W4MW16BFB-708 WT TR-FT |
MT29F64G08CBEFBWP:F
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBWPR:F
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP:C
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ABACAWP-IT:C
Micron Technology Inc.
NAND128W3AABN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3AABN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SN6E
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SN6F
Micron Technology Inc.
TE28F160C3BD70A
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel