casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT45W4MW16BFB-708 WT F
Número da peça de fabricante | MT45W4MW16BFB-708 WT F |
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Número da peça futura | FT-MT45W4MW16BFB-708 WT F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT45W4MW16BFB-708 WT F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | PSRAM |
Tecnologia | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamanho da memória | 64Mb (4M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 70ns |
Tempo de acesso | 70ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 54-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 54-VFBGA (6x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W4MW16BFB-708 WT F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT45W4MW16BFB-708 WT F-FT |
MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBWP-M:F
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBWP:F
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBWPR:F
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP:C
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ABACAWP-IT:C
Micron Technology Inc.
NAND128W3AABN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3AABN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SN6E
Micron Technology Inc.
XC2S50-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XCS05-3VQ100I
Xilinx Inc.
XC4013XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256
Microsemi Corporation
10CL080ZF484I8G
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
ICE40LP1K-CB81
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4JC
Microchip Technology
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel