casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT45W2MW16BABB-706 L WT
Número da peça de fabricante | MT45W2MW16BABB-706 L WT |
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Número da peça futura | FT-MT45W2MW16BABB-706 L WT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT45W2MW16BABB-706 L WT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | PSRAM |
Tecnologia | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamanho da memória | 32Mb (2M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 70ns |
Tempo de acesso | 70ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 54-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 54-VFBGA (6x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W2MW16BABB-706 L WT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT45W2MW16BABB-706 L WT-FT |
MT29F128G08CFEFBWP:F
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G08AJADAWP-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B
Micron Technology Inc.