casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT41K512M8RH-125 M:E
Número da peça de fabricante | MT41K512M8RH-125 M:E |
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Número da peça futura | FT-MT41K512M8RH-125 M:E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT41K512M8RH-125 M:E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | 800MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 13.75ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 78-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 78-FBGA (9x10.5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8RH-125 M:E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT41K512M8RH-125 M:E-FT |
M29W640GH70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GL70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZA6EP
Micron Technology Inc.
M29W800DB45ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W800DT45ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W800DT70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W800DT70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M28W320ECB70ZB6T TR
Micron Technology Inc.
M28W320ECT70ZB6T TR
Micron Technology Inc.