casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT41K512M8RH-125 AAT:E
Número da peça de fabricante | MT41K512M8RH-125 AAT:E |
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Número da peça futura | FT-MT41K512M8RH-125 AAT:E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT41K512M8RH-125 AAT:E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | 800MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 13.75ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 78-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 78-FBGA (9x10.5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8RH-125 AAT:E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT41K512M8RH-125 AAT:E-FT |
M29W400DT55ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W400DT55ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DT70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W640FB70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640FT70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640FT70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GB70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GB70ZA6EP
Micron Technology Inc.
M29W640GH70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GL70ZA6E
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel