casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT41K256M16TW-107 V:P
Número da peça de fabricante | MT41K256M16TW-107 V:P |
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Número da peça futura | FT-MT41K256M16TW-107 V:P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT41K256M16TW-107 V:P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Tamanho da memória | 4Gb (256M x 16) |
Freqüência do relógio | 933MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 20ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K256M16TW-107 V:P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT41K256M16TW-107 V:P-FT |
MT41J128M16JT-107:K TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M8DA-093:J
Micron Technology Inc.
MT41J1G4THD-15E:D
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-093:E
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-093:E TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-093G:E
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-093G:E TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-107:E
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-107:E TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-125:E
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel