casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT41K256M16TW-107 AUT:P
Número da peça de fabricante | MT41K256M16TW-107 AUT:P |
---|---|
Número da peça futura | FT-MT41K256M16TW-107 AUT:P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
MT41K256M16TW-107 AUT:P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Tamanho da memória | 4Gb (256M x 16) |
Freqüência do relógio | 933MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 20ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K256M16TW-107 AUT:P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT41K256M16TW-107 AUT:P-FT |
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECABH1-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECABH1-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel