casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT40A512M8RH-083E:B
Número da peça de fabricante | MT40A512M8RH-083E:B |
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Número da peça futura | FT-MT40A512M8RH-083E:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT40A512M8RH-083E:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | 1.2GHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 78-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 78-FBGA (9x10.5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M8RH-083E:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT40A512M8RH-083E:B-FT |
M29W400DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W400DT55ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W400DT55ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DT70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W640FB70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640FT70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640FT70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GB70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GB70ZA6EP
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M29W640GH70ZA6E
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