casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT40A512M8RH-075E AIT:B
Número da peça de fabricante | MT40A512M8RH-075E AIT:B |
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Número da peça futura | FT-MT40A512M8RH-075E AIT:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT40A512M8RH-075E AIT:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | 1.33GHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M8RH-075E AIT:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT40A512M8RH-075E AIT:B-FT |
MT35XL01GBBA2G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA2G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA2G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA3G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA4G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL02GCBA1G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL02GCBA2G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL02GCBA3G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL02GCBA4G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL256ABA1G12-0AAT
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel