casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT40A512M16JY-062E IT:B
Número da peça de fabricante | MT40A512M16JY-062E IT:B |
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Número da peça futura | FT-MT40A512M16JY-062E IT:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT40A512M16JY-062E IT:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Tamanho da memória | 8Gb (512M x 16) |
Freqüência do relógio | 1.6GHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M16JY-062E IT:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT40A512M16JY-062E IT:B-FT |
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAM70M3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel