casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT40A2G4WE-075E:D
Número da peça de fabricante | MT40A2G4WE-075E:D |
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Número da peça futura | FT-MT40A2G4WE-075E:D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT40A2G4WE-075E:D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Tamanho da memória | 8Gb (2G x 4) |
Freqüência do relógio | 1.33GHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A2G4WE-075E:D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT40A2G4WE-075E:D-FT |
MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel