casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT40A2G4WE-075E:B
Número da peça de fabricante | MT40A2G4WE-075E:B |
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Número da peça futura | FT-MT40A2G4WE-075E:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT40A2G4WE-075E:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Tamanho da memória | 8Gb (2G x 4) |
Freqüência do relógio | 1.33GHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A2G4WE-075E:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT40A2G4WE-075E:B-FT |
MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel