casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT40A256M16GE-083E AUT:B
Número da peça de fabricante | MT40A256M16GE-083E AUT:B |
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Número da peça futura | FT-MT40A256M16GE-083E AUT:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT40A256M16GE-083E AUT:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Tamanho da memória | 4Gb (256M x 16) |
Freqüência do relógio | 1.2GHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 96-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 96-FBGA (14x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A256M16GE-083E AUT:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT40A256M16GE-083E AUT:B-FT |
TE28F256P33BFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P33T95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P33TFA
Micron Technology Inc.
TE28F320J3D75A
Micron Technology Inc.
TE28F640J3D75A
Micron Technology Inc.
TE28F640J3D75B TR
Micron Technology Inc.
TE28F640P30B85A
Micron Technology Inc.
TE28F640P30T85A
Micron Technology Inc.
TE28F640P33B85A
Micron Technology Inc.
TE28F640P33T85A
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel