casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT40A256M16GE-075E AUT:B TR
Número da peça de fabricante | MT40A256M16GE-075E AUT:B TR |
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Número da peça futura | FT-MT40A256M16GE-075E AUT:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Tamanho da memória | 4Gb (256M x 16) |
Freqüência do relógio | 1.33GHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 96-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 96-FBGA (14x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT40A256M16GE-075E AUT:B TR-FT |
TE28F256P30B95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P30BFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P30T95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P30TFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P33B95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P33BFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P33T95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P33TFA
Micron Technology Inc.
TE28F320J3D75A
Micron Technology Inc.
TE28F640J3D75A
Micron Technology Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel