casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT40A256M16GE-075E AUT:B TR
Número da peça de fabricante | MT40A256M16GE-075E AUT:B TR |
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Número da peça futura | FT-MT40A256M16GE-075E AUT:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Tamanho da memória | 4Gb (256M x 16) |
Freqüência do relógio | 1.33GHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 96-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 96-FBGA (14x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT40A256M16GE-075E AUT:B TR-FT |
TE28F256P30B95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P30BFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P30T95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P30TFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P33B95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P33BFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P33T95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P33TFA
Micron Technology Inc.
TE28F320J3D75A
Micron Technology Inc.
TE28F640J3D75A
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation