casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT40A1G8WE-075E AIT:B
Número da peça de fabricante | MT40A1G8WE-075E AIT:B |
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Número da peça futura | FT-MT40A1G8WE-075E AIT:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT40A1G8WE-075E AIT:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Tamanho da memória | 8Gb (1G x 8) |
Freqüência do relógio | 1.33GHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A1G8WE-075E AIT:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT40A1G8WE-075E AIT:B-FT |
MT29F32G08CBADAL83A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAL83A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP-M:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP-M:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBEDBL83A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel