casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y
Número da peça de fabricante | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y |
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Número da peça futura | FT-MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamanho da memória | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.8V |
Temperatura de operação | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y-FT |
MT29F64G08CECCBH1-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECDBJ4-10:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACBWP-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETCBBM5-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A12T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484
Microsemi Corporation
EP1AGX35CF484C6
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
EP4SGX530KH40C2
Intel
EP4SE820H35I3
Intel
XC2V4000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
AGL060V2-QNG132I
Microsemi Corporation