casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR
Número da peça de fabricante | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR |
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Número da peça futura | FT-MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamanho da memória | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.8V |
Temperatura de operação | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR-FT |
MT29F64G08CECDBJ4-10:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACBWP-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETCBBM5-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F768G08EECBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
XC2S50-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XCS05-3VQ100I
Xilinx Inc.
XC4013XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256
Microsemi Corporation
10CL080ZF484I8G
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
ICE40LP1K-CB81
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4JC
Microchip Technology
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel