casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR
Número da peça de fabricante | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR |
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Número da peça futura | FT-MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamanho da memória | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.8V |
Temperatura de operação | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR-FT |
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A
Micron Technology Inc.
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCDBJ4-6IT:D
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel