casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR
Número da peça de fabricante | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR |
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Número da peça futura | FT-MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamanho da memória | 2Gb (256M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.8V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 162-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 162-VFBGA (10.5x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR-FT |
EDB4432BBPA-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PB-8D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PB-8D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128HSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128HSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel