casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F64G08AECABJ1-10Z:A
Número da peça de fabricante | MT29F64G08AECABJ1-10Z:A |
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Número da peça futura | FT-MT29F64G08AECABJ1-10Z:A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F64G08AECABJ1-10Z:A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 64Gb (8G x 8) |
Freqüência do relógio | 100MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 132-VBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 132-VBGA (12x18) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08AECABJ1-10Z:A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F64G08AECABJ1-10Z:A-FT |
MT29F4G16ABBFAM70A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3C:B
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3C:BTR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EYCBBG9-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel