casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F512G08EMCBBJ5-6:B

| Número da peça de fabricante | MT29F512G08EMCBBJ5-6:B |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-MT29F512G08EMCBBJ5-6:B |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| MT29F512G08EMCBBJ5-6:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de memória | Non-Volatile |
| Formato de memória | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Tamanho da memória | 512Gb (64G x 8) |
| Freqüência do relógio | 167MHz |
| Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
| Tempo de acesso | - |
| Interface de memória | Parallel |
| Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montagem | - |
| Pacote / caso | - |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F512G08EMCBBJ5-6:B Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | MT29F512G08EMCBBJ5-6:B-FT |

MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F
Micron Technology Inc.

MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G16ABBDAH4:D TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G16ABBDAHC:D
Micron Technology Inc.

MT29F4G16ABBDAM60A3WC1
Micron Technology Inc.

MT29F4G16ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.

MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G16ABBEAH4:E
Micron Technology Inc.

MT29F4G16ABBEAH4:E TR
Micron Technology Inc.

XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.

XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.

XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.

A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation

LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation

EP2C8F256C7
Intel

5SGXEB6R2F40C2L
Intel

EP4CGX15BF14C7N
Intel

XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.

EP1S30F1020C7N
Intel